2Dh-W2N3对阴极HER表现出出色的催化活性，数智起始电势为-30.8mV，对于10mA/cm2，其超电势为-98.2mV。
（g）和（h）为KPF6、添翼glass/钙钛矿和glass/KPF6/钙钛矿的的FTIR光谱。千里图文简介图1.（a）器件结构示意图。
相比于TiO2/钙钛矿界面，银线有关SnO2/钙钛矿界面调控方面的工作还比较少。传送图2.（a）ITO/SnO2/钙钛矿和（b）ITO/SnO2/KPF6/钙钛矿样品的SEM图像。在报道的前期工作中，可靠我们开发了一种多功能化学连接剂4-咪唑乙酸盐酸盐（ImAcHCl）来修饰SnO2/钙钛矿界面，可靠同时实现了结晶改善、缺陷钝化和能级排列调控。
很多研究已经证明，数智SnO2/钙钛矿界面对最终器件性能影响深远。在我们的前期研究工作中，添翼我们通过I-和PF6-之间的原位离子交换反应在钙钛矿/Spiro-OMeTAD界面形成一层超薄FA0.88Cs0.12PbI3−x(PF6)x夹层，添翼将器件PCE从17.8%提高到19.3%。
千里在该界面可能同时存在带正电的缺陷（例如氧空位和卤素空位）和带负电的缺陷（例如阳离子空位）。
鉴于此，银线Wang等人通过用有机铵盐改性钙钛矿薄膜，释放了界面应力。本工作建立的新概念为合理设计高性能电催化剂提供了新的机会，传送通过多尺度结构和界面控制的结合，传送加强了整体电催化剂的过电位和其他催化动力学。
然而，可靠其较差的导电性和长期的OER稳定性阻碍了其作为OER电催化剂中活性组分的功能。例如，数智通过将双相或多相成分结合在纳米杂化中，可以继承各成分的优势，并通过界面效应增强本征活性。
红色、添翼灰色、白色、蓝色和青色的球代表O、Ni、H、N和V原子）。由此优化的NiVN@OOH具有丰富的核壳界面、千里垂直排列的纳米片阵列和特意选择的V掺杂，千里在电流密度为50mAcmgeo-2时表现出优异的OER活性，超低的过电位为233mV，在1.47Vvs.RHE下，催化电流密度上升64倍，在240mV的过电位下，转化效率比Ni3N@OOH的转化效率提高了37倍，同时在1MKOH中具有强大的长期稳定性。